MT40A512M16LY-062E AAT:E vs K4A8G165WG-BCWE 비교
다음의 상세 나란히 비교: MT40A512M16LY-062E AAT:E 제조: Micron Technology 및 K4A8G165WG-BCWE 제조: Samsung Electro-Mechanics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Micron Technology
MT40A512M16LY-062E AAT:E - 8Gbit DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron
MT40A512M16LY-062E AAT:E ✓ 활성Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WG-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM x16 3200Mbps | Samsung
K4A8G165WG-BCWE ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | MT40A512M16LY-062E AAT:E | K4A8G165WG-BCWE |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Samsung Electro-Mechanics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $9.20 | $29.53 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| 메모리 크기 | 8 Gbit (1 GB) | 8 Gbit |
| Memory Organization | 512M x 16 | 512M x 16 |
| 인터페이스 | Parallel | — |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| Access Time | 19 ns | — |
| 공급 전압 | 1.2 V | 1.2 V |
| Speed Grade | 062E | — |
| 패키지 | 96-FBGA (7.5 x 13.5 mm) | FBGA-96 |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Package Height | [DATA_NEEDED: package max height] | — |
| MSL Rating | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Ordering Code Suffix | AAT:E (temperature/package option per Micron code) | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Moisture Packaging | [DATA_NEEDED: packing type for AAT:E suffix] | — |
| Data Rate Class | DDR4-3200 (062E speed bin) | — |
| 데이터 속도 | — | 3200 Mbps |
| 동작 온도 범위 | — | 0°C to +85°C |
| Operating Current | — | 20 mA |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Row Cycle Time (tRC) | — | 19 ns |
| Technology | — | B-die |
| Lead-Free | — | Yes |
| 수명 주기 상태 | — | Active |